› Součástky › Polovodiče › Tranzistory › N-mosfet DMG4800LK3

N-mosfet DMG4800LK3

Neohodnoceno

FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id): @ 25°C 10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8,7nC @ 5V
Vgs (Max): ±25V
VGS(th) Gate Threshold Voltage 0.8 - 1.6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
FET Feature
Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-252-3

Dostupnost	Momentálně nedostupné
12 Kč

Parametry

Kód produktu	38703
Kategorie	Tranzistory
Položka byla vyprodána...

Tisk Dotaz Hlídat cenu

Popis
Parametry
Soubory
Diskuze
Hodnocení

Popis

Vdss	30V
Vgs(th)	1,6V
Vgss	25V
Id (?)	10A@10V

DMG4800LK3 (157 kB)

Buďte první, kdo napíše příspěvek k této položce.

Pouze registrovaní uživatelé mohou vkládat příspěvky. Prosím přihlaste se nebo se registrujte.

Buďte první, kdo napíše příspěvek k této položce.

Přidat hodnocení